I principali differenze trà i wafers di siliciu monocristallini di tipu N è P-tipu per u solar fotovoltaicu
I principali diffirenzii trà i wafers di siliciu monocristalinu di tipu N è P-tipu per u solar fotovoltaicu
I wafers di siliciu monocristallini anu e proprietà fisiche di quasi-metalli, cù una conductività debule, è a so cunduttività aumenta cù a temperatura crescente. Hanu ancu proprietà semiconduttive significative. Dopendu wafers di siliciu monocristallino ultra-puru cù picculi quantità di boru, a conduttività pò esse aumentata per furmà un semiconductor di siliciu di tipu P. In u listessu modu, u doping cù picculi quantità di fosforu o arsenicu pò ancu aumentà a conduttività, furmendu un semiconductor di siliciu di tipu N. Allora, chì sò e differenze trà i wafers di silicuu di tipu P è N?
I principali differenze trà i wafers di siliciu monocristallino di tipu P è N-tipu sò i seguenti:
Dopante: In u siliciu monocristalinu, u doping cù fosforu face u tipu N, è u doping cù u boru face u tipu P.
Conduttività: N-tipu hè electron-conducting, è P-tipu hè pirtusu-conduzzione.
Prestazione: u più fosforu hè dopatu in N-tipu, più elettroni liberi ci sò, più forte a conduttività, è più bassa a resistività. U più boru hè dopatu in P-tipu, più buchi sò generati da rimpiazzà u siliciu, più forte a conduttività, è più bassa a resistività.
Attualmente, i wafers di siliciu di tipu P sò i prudutti principali in l'industria fotovoltaica. I wafers di silicuu di tipu P sò simplici di fabricazione è anu bassi costi. I wafers di siliciu di tipu N sò tipicamente più longevi di i trasportatori minoritari, è l'efficienza di e cellule solari pò esse più altu, ma u prucessu hè più cumplicatu. I wafers di siliciu di u tipu N sò dopati cù fosforu, chì hà pocu solubilità cù u siliciu. Duranti l'istruzzioni di bastone, u fosforu ùn hè micca distribuitu uniformemente. I wafers di siliciu di tipu P sò dopati cù boru, chì hà un coefficient di segregazione simili à u siliciu, è l'uniformità di a dispersione hè faciule da cuntrullà.